Verwenden Sie diesen Reiseadapter, um Stecker aus aller Welt an Steckdosen weltweit anzuschließen. Ebenfalls geeignet zum Laden von Geräten über den integrierten USB-Lader.
Eigenschaften
- geeignet für Steckertypen A, B, C, E, F, G, I, J, L und N
- geeignet für Steckdosentypen A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, N und O
- zusätzliche Typ-A-Steckdose an der Seite für nicht geerdete nordamerikanische/japanische Stecker
- integrierter 5-Port USB-Lader zum Laden von (tragbaren) Geräten
- USB-C-Anschluss unterstützt Power Delivery Laden
- leistungsstarker, kompakter Lader dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie
- ideal für unterwegs dank kleinem und kompaktem Design
- sicher in der Anwendung dank Kindersicherung
Spezifikationen USB-C PD Anschlüsse
- 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt
- 9 Volt | bis 3 Ampere | bis 27 Watt
- 12 Volt | bis 3 Ampere | bis 36 Watt
- 15 Volt | bis 3 Ampere | bis 45 Watt
- 20 Volt | bis 3,5 Ampere | bis 70 Watt
Spezifikationen USB-A Anschlüsse
- 5 Volt | bis 2,4 Ampere | bis 12 Watt
Achtung! Angepasste Ladespezifikationen bei gleichzeitiger Nutzung mehrerer USB-Anschlüsse
Wenn Sie mehrere USB-Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 70 W. Das bedeutet, dass das Laden der Geräte länger dauern kann, wenn Sie mehrere Geräte anschließen.
Spezifikationen
- für Steckertypen: A, B, C, E, F, G, I, J, L und N
- für Steckdosentypen: A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, N und O
- USB-Anschlüsse: 1x USB-A + 2x USB-C / max. 70 W
- Eingangsspannung: 100-250 V
- Belastung: max. 10 A
- Leistung: max. 2500 W
- Technologie: GaN
- geerdet: nein
- Kindersicherung: ja
- Sicherung: 10A (gemäß BS1362)
- konform: RoHS, CE, VDE, ISO 9002
- Farbe: weiß
- Garantie: 2 Jahre
Achtung!
Dies ist ein Reiseadapter, der es ermöglicht, Ihre Geräte an einer ausländischen Steckdose zu verwenden oder ausländische Geräte für eine europäische Steckdose anzupassen. Dieser Reiseadapter ist kein Spannungswandler!
Geeignet für folgende Steckertypen
- Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
- Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
- Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in fast ganz Westeuropa
- Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich
- Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (z.B. Niederlande und Deutschland)
- Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta
- Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien
- Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz
- Typ L: u.a. verwendet in Italien
- Typ N: u.a. verwendet in Brasilien
Geeignet für folgende Steckdosentypen
- Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
- Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
- Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in fast ganz Westeuropa
- Typ D: u.a. verwendet in Indien und Nepal
- Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich
- Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (z.B. Niederlande und Deutschland)
- Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta
- Typ H: u.a. verwendet in Israel, Palästina und Gaza
- Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien
- Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz
- Typ K: u.a. verwendet in Dänemark und Grönland
- Typ L: u.a. verwendet in Italien
- Typ N: u.a. verwendet in Brasilien
- Typ O: u.a. verwendet in Thailand
Power Delivery Verhandlung
USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dynamisch dank des integrierten Chips anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell bis zu maximal 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann dank des Chips auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch möglich ist, bis zu 100 Watt Strom über ein einzelnes USB-C-Kabel zu liefern. Dieser Lader verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion bereitstellt.
Kleineres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN)
Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, einen leistungsstarken Lader in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Lader Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.