Verwenden Sie diesen Reiseadapter, um Stecker aus aller Welt an Steckdosen weltweit anzuschließen. Ebenfalls geeignet zum Aufladen von Geräten über den integrierten USB-Ladeanschluss.

Eigenschaften

• geeignet für Steckertypen A, B, C, E, F, G, I, J, L und N
• geeignet für Steckdosentypen B, E, F, G, I und O
• integrierter 3-Port USB-Lader zum Laden von (tragbaren) Geräten
• USB-C-Anschluss unterstützt Power Delivery Laden
• USB-A-Anschluss unterstützt Quick Charge Laden
• leistungsstarker, kompakter Lader dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie
• durch kleines und kompaktes Design ideal für unterwegs
• sicher in der Anwendung dank Kindersicherung

Spezifikationen USB-C PD Anschlüsse

• 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt
• 9 Volt | bis 2,22 Ampere | bis 20 Watt
• 12 Volt | bis 1,67 Ampere | bis 20 Watt

Spezifikationen USB-A Anschluss

• 5 Volt | bis 3 Ampere | bis 15 Watt
• 9 Volt | bis 2 Ampere | bis 18 Watt (Quick Charge)
• 12 Volt | bis 1,5 Ampere | bis 18 Watt (Quick Charge)

Achtung! Angepasste Ladespezifikationen bei Nutzung mehrerer USB-Anschlüsse

Wenn Sie mehrere USB-Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 20 W. Das bedeutet, dass das Laden der Geräte länger dauern kann, wenn Sie mehrere Geräte anschließen.

Spezifikationen

• für Steckertypen: A, B, C, E, F, G, I, J, L und N
• für Steckdosentypen: B, E, F, G, I und O
• USB-Anschlüsse: 1x USB-A + 2x USB-C / max. 20 W
• Eingangsspannung: 100-250 V
• Belastung: max. 10 A
• Leistung: max. 2500 W
• Technologie: GaN
• geerdet: ja (bei Einstecken eines Steckers mit hervorstehendem Erdungsstift)
• Kindersicherung: ja
• Sicherung: 10A (gemäß BS1362)
• Konformität: RoHS, CE, VDE, ISO 9002
• Farbe: weiß
• Garantie: 2 Jahre

Achtung!

Dies ist ein Reiseadapter, der es ermöglicht, Ihre Geräte an einer ausländischen Steckdose zu verwenden oder ausländische Geräte für eine europäische Steckdose anzupassen. Dieser Reiseadapter ist kein Spannungswandler!

Geeignet für folgende Steckertypen

• Typ A: ungeerdete Variante von Typ B, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
• Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
• Typ C: ungeerdete Variante von Typ E und F, u.a. verwendet in nahezu ganz Westeuropa
• Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich
• Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (u.a. Niederlande und Deutschland)
• Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta
• Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien
• Typ J: u.a. verwendet in der Schweiz
• Typ L: u.a. verwendet in Italien
• Typ N: u.a. verwendet in Brasilien

Geeignet für folgende Steckdosentypen

• Typ B: geerdete Variante von Typ A, u.a. verwendet in den USA, Kanada und Japan
• Typ E: u.a. verwendet in Belgien und Frankreich
• Typ F: u.a. verwendet in Westeuropa (u.a. Niederlande und Deutschland)
• Typ G: u.a. verwendet in Großbritannien, Irland, Zypern und Malta
• Typ I: u.a. verwendet in China, Argentinien und Australien
• Typ O: u.a. verwendet in Thailand

Power Delivery Verhandlung

USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dynamisch dank des integrierten Chips anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell auf bis zu 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Strom über ein einziges USB-C-Kabel geliefert werden können. Dieser Lader verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion bereitstellt.

Qualcomm Quick Charge (QC) Technologie

Durch intensive Nutzung entlädt sich der Akku eines Smartphones oder Tablets schnell, was oft ärgerlich für den Nutzer ist. Das Warten, bis das Gerät vollständig geladen ist, ist dann sehr unangenehm. Dank des in vielen tragbaren Geräten integrierten Qualcomm Quick Charge Chips können Sie diese jetzt mit Quick Charge-kompatiblen Ladegeräten und Kabeln noch schneller aufladen.

Kleineres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN)

Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, einen leistungsstarken Lader in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15 Mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Außerdem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.