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Goobay Slim USB-Ladegerät | USB-C PD | GaN | 20W | Schwarz
€11,99 Inkl. MwSt.
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Goobay Slim USB-Ladegerät | USB-C PD | GaN | 20W | Schwarz
Goobay

Goobay Slim USB-Ladegerät | USB-C PD | GaN | 20W | Schwarz

€11,99 Inkl. MwSt.

• Ausgang: USB-C (weiblich)
• Eingang: CEE 7/16 (männlich)
• USB-C: PD-Laden bis zu 20W
• GaN-Technologie Lesen Sie mehr.

3-5 Werktage
  • Kundenbewertung 9,2/10
  • 3–5 Werktage Lieferzeit
  • 10+ Jahre Produktkenntnis

Produktbeschreibung

Verwenden Sie dieses universelle USB-Ladegerät, um Ihre tragbaren Geräte über den USB Typ-C Anschluss aufzuladen.

Eigenschaften

  • kompaktes, minimalistisches und smartes Design: ideal für Zuhause, im Büro oder unterwegs
  • durch Eingangsspannung von 100-240 Volt weltweit einsetzbar
  • leistungsstarkes, kompaktes Ladegerät dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie
  • unterstützt Power Delivery Laden

Spezifikationen USB-C Anschluss:

  • 5 Volt | bis zu 3 Ampere | bis zu 15 Watt
  • 9 Volt | bis zu 2,22 Ampere | bis zu 20 Watt
  • 12 Volt | bis zu 1,67 Ampere | bis zu 20 Watt

Technische Daten

  • Ausgang: 1x USB-C (Buchse)
  • Eingang: CEE 7/16 (Stecker)
  • Eingangsspannung: 100-240 V
  • maximale Leistung: 20 W
  • USB-C Anschluss: Power Delivery
  • Technologie: GaN
  • Gehäuse: ABS
  • Konformität: RoHS, CE, WEEE, Haus und Quader
  • Farbe: schwarz
  • Garantie: 2 Jahre

Power Delivery Verhandlung

USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dank des integrierten Chips dynamisch anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell auf bis zu 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch gesehen eine Leistung von bis zu 100 Watt über ein einziges USB-C Kabel geliefert werden kann. Dieses Ladegerät verfügt über einen integrierten Chip, der die Power Delivery Funktion unterstützt.

Kleineres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN)

Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, ein leistungsstarkes Ladegerät in einem kompakten Gehäuse bereitzustellen. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.

Eigenschaften

SKU
GOO-75727
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Nehmen Sie Kontakt mit unserem Kundenservice über [email protected] auf. Wir helfen Ihnen gerne!
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