• Ausgang: USB-C + USB-A (männlich)
• Eingang: CEE 7/16 (weiblich)
• USB-C: PD-Laden bis zu 30W
• USB-A: QC-Schnellladen bis zu 18W
• GaN-Technologie
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Verwenden Sie dieses universelle USB-Ladegerät, um Ihre tragbaren Geräte über die USB Typ C- und USB Typ A-Anschlüsse aufzuladen.
Wenn Sie beide Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern beide zusammen maximal 30 W. Das bedeutet, dass das Laden eines Geräts länger dauern kann, wenn beide Anschlüsse gleichzeitig genutzt werden.
USB Power Delivery (PD) ermöglicht dank eines integrierten Chips die dynamische Anpassung der Spannung. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell auf bis zu 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Leistung über ein einziges USB-C-Kabel bereitgestellt werden können. Dieses Ladegerät verfügt über einen integrierten Chip, der die Power Delivery Funktion ermöglicht.
Programmierbare Energiequellen (Programmable Power Supplies), wie USB-Ladegeräte oder Powerbanks, liefern mit USB Power Delivery 3.0 auf Anfrage feine Variationen in Spannung (Volt) und Stromstärke (Ampere). Dank dieser Variationen ist die Spannung in Schritten von 20 Millivolt und die maximale Stromstärke in Schritten von 50 Milliampere einstellbar. Das Ladegerät oder die Powerbank kommuniziert zudem mit dem angeschlossenen Gerät über Temperatur und Spannung der Akkuzellen. Dadurch kann das Ladegerät oder die Powerbank eingreifen und Strom sowie Spannung auf sichere Werte begrenzen. Diese Funktion macht das Laden effizienter und sicherer.
Bei intensiver Nutzung entlädt sich der Akku eines Smartphones oder Tablets schnell, was oft ärgerlich ist. Das Warten auf eine vollständige Aufladung kann sehr lästig sein. Dank des in vielen tragbaren Geräten integrierten Qualcomm Quick Charge Chips können Sie diese jetzt mit Quick Charge-kompatiblen Ladegeräten und Kabeln noch schneller aufladen.
Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank GaN ist es möglich, ein leistungsstarkes Ladegerät in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.