• Ausgang: 2x USB-C + 2x USB-A (Typ A)
• Eingang: C8 (m) / inkl. C7 - CEE 7/16 Kabel
• USB-C: PD-Laden bis zu 65W
• USB-A: QC-Schnellladen bis zu 18W
• GaN-Technologie
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Verwenden Sie dieses universelle USB-Ladegerät, um Ihre tragbaren Geräte über die USB Typ C- und USB Typ A-Anschlüsse aufzuladen.
Wenn Sie mehrere Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 65 W. Das bedeutet, dass das Laden eines Geräts länger dauern kann, wenn mehrere Anschlüsse gleichzeitig genutzt werden.
USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dank eines integrierten Chips dynamisch anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell bis zu maximal 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Leistung über ein einzelnes USB-C-Kabel geliefert werden können. Dieses Ladegerät verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion ermöglicht.
Durch intensive Nutzung entlädt sich der Akku eines Smartphones oder Tablets schnell, was oft ärgerlich ist. Das Warten auf eine vollständige Aufladung ist dann sehr lästig. Dank des in vielen tragbaren Geräten verbauten Qualcomm Quick Charge Chips können Sie diese jetzt mit Quick Charge-kompatiblen Ladegeräten und Kabeln noch schneller aufladen.
Programmierbare Energiequellen (Programmable Power Supplies), wie z. B. USB-Ladegeräte oder Powerbanks, liefern mit USB Power Delivery 3.0 auf Anfrage feine Variationen in Spannung (Volt) und Stromstärke (Ampere). Dadurch ist die Spannung in Schritten von 20 Millivolt und die maximale Stromstärke in Schritten von 50 Milliampere einstellbar. Das USB-Ladegerät oder die Powerbank kommuniziert zudem mit dem angeschlossenen Gerät über Temperatur und Spannung der Akkuzellen. So kann das Ladegerät oder die Powerbank eingreifen und Strom sowie Spannung auf sichere Werte begrenzen. Diese Funktion macht das Laden effizienter und sicherer.
Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, ein leistungsstarkes Ladegerät in einem kompakten Gehäuse unterzubringen. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Außerdem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.