Verwenden Sie dieses universelle USB-Ladegerät, um Ihre tragbaren Geräte über die USB Typ-C Anschlüsse aufzuladen.

Eigenschaften

• kompaktes Design: ideal für Zuhause, im Büro oder unterwegs
• durch Eingangsspannung von 100-240 Volt weltweit einsetzbar
• leistungsstarkes, kompaktes Ladegerät dank Gallium-Nitrid (GaN) Technologie
• unterstützt Power Delivery Laden

Spezifikationen USB-C Anschlüsse

• 5 Volt | bis zu 3 Ampere | bis zu 15 Watt
• 9 Volt | bis zu 3 Ampere | bis zu 27 Watt
• 12 Volt | bis zu 2,92 Ampere | bis zu 35 Watt
• 15 Volt | bis zu 2,33 Ampere | bis zu 35 Watt
• 20 Volt | bis zu 1,75 Ampere | bis zu 35 Watt

Achtung! Angepasste Ladespezifikationen bei gleichzeitiger Nutzung beider Anschlüsse

Wenn Sie beide Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern beide zusammen maximal 35 W. Das bedeutet, dass das Laden eines Geräts länger dauern kann, wenn beide Anschlüsse gleichzeitig genutzt werden.

Spezifikationen

• Ausgang: 2x USB-C (weiblich)
• Eingang: CEE 7/16 (männlich)
• Eingangsspannung: 100-240 V
• maximale Leistung: 35 W
• USB-C Anschluss: Power Delivery
• Technologie: GaN
• Gehäuse: Polycarbonat
• konform: RoHS, CE
• Farbe: Schwarz
• Garantie: 2 Jahre

Power Delivery Verhandlung

USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dank des integrierten Chips dynamisch anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell bis zu maximal 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Leistung über ein einzelnes USB-C Kabel bereitgestellt werden können. Dieses Ladegerät verfügt über einen integrierten Chip, der die Power Delivery Funktion unterstützt.

Kompakteres Format und mehr Ladeleistung dank Gallium-Nitrid (GaN)

Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, ein leistungsstarkes Ladegerät in einem kompakten Gehäuse bereitzustellen. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15 Mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.