• Ausgang: 2x USB-C + 1x USB-A (Typ A)
• Eingang: CEE 7/16 (Stecker)
• USB-C: PD-Laden bis zu 100W
• USB-A: QC-Schnellladen bis zu 30W
• GaN-Technologie
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Verwenden Sie dieses universelle USB-Ladegerät, um Ihre tragbaren Geräte über die USB Typ C- und USB Typ A-Anschlüsse aufzuladen.
Wenn Sie mehrere Anschlüsse gleichzeitig verwenden, liefern alle Anschlüsse zusammen maximal 100 W. Das bedeutet, dass das Laden eines Geräts länger dauern kann, wenn Sie mehrere Anschlüsse gleichzeitig nutzen.
USB Power Delivery (PD) ermöglicht es, die Spannung dank des integrierten Chips dynamisch anzupassen. Die standardmäßig verfügbare Spannung von 5 Volt kann so individuell bis zu 20 Volt konfiguriert werden. Die Stromstärke kann durch den Chip auf bis zu 5A erhöht werden, wodurch technisch bis zu 100 Watt Leistung über ein einzelnes USB-C Kabel geliefert werden können. Dieses Ladegerät verfügt über einen integrierten Chip, der diese Power Delivery Funktion ermöglicht.
Programmierbare Energiequellen (Programmable Power Supplies), wie z. B. USB-Ladegeräte oder Powerbanks, liefern mit USB Power Delivery 3.0 auf Anfrage feine Variationen in Spannung (Volt) und Stromstärke (Ampere). Dank dieser Variationen ist die Spannung in Schritten von 20 Millivolt und die maximale Stromstärke in Schritten von 50 Milliampere einstellbar. Das USB-Ladegerät oder die Powerbank kommuniziert zudem mit dem angeschlossenen Gerät über Temperatur und Spannung der Akkuzellen. So kann das Ladegerät oder die Powerbank eingreifen und Strom sowie Spannung auf sichere Werte begrenzen. Diese Funktion macht das Laden noch effizienter und zudem sicherer.
Durch intensive Nutzung entlädt sich der Akku eines Smartphones oder Tablets schnell, was oft ärgerlich für den Nutzer ist. Das Warten, bis das Gerät vollständig geladen ist, kann sehr lästig sein. Dank des in vielen tragbaren Geräten integrierten Qualcomm Quick Charge Chips können Sie diese nun mit Quick Charge-kompatiblen Ladegeräten und Kabeln noch schneller aufladen.
Gallium-Nitrid (GaN) ist ein neues Material, das in Halbleitern verwendet wird, die für die Entwicklung von Ladegeräten notwendig sind. Dank Gallium-Nitrid ist es möglich, ein leistungsstarkes Ladegerät in einem kompakten Gehäuse zu realisieren. GaN-basierte Halbleiter sind bis zu 15-mal kleiner als herkömmliche, günstigere Halbleiter. Zudem reduzieren GaN-Ladegeräte Energieverluste: Bei einem GaN-Halbleiter gehen etwa 40 % weniger Strom verloren.